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NCV57200DR2G

NCV57200DR2G
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产品型号 NCV57200DR2G
制造商 onsemi
产品介绍 ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
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Product parameter

Product StatusActive TechnologyCapacitive Coupling
Number of Channels1 Voltage - Isolation-
Common Mode Transient Immunity (Min)100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max)110ns, 110ns
Pulse Width Distortion (Max)25ns Rise / Fall Time (Typ)13ns, 13ns
Current - Output High, Low- Current - Peak Output1.9A, 2.3A
Voltage - Forward (Vf) (Typ)- Current - DC Forward (If) (Max)-
Voltage - Output Supply- Operating Temperature-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting TypeSurface Mount Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC Approval Agency-

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