1EDN8511BXUSA1
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| 产品型号 | 1EDN8511BXUSA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品介绍 | IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6 我们努力为客户提供 Infineon Technologies品牌的产品1EDN8511BXUSA1 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | DigiKey Programmable | Not Verified |
|---|---|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge, Low-Side | Channel Type | Single |
| Number of Drivers | 1 | Gate Type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Voltage - Supply | 8V ~ 20V | Logic Voltage - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 4A, 8A | Input Type | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - | Rise / Fall Time (Typ) | 6.5ns, 4.5ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 | Supplier Device Package | PG-SOT23-6-2 |
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