IGP01N120H2
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| 产品型号 | IGP01N120H2 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品介绍 | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN 我们努力为客户提供 Infineon Technologies品牌的产品IGP01N120H2 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | IGBT Type | - |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Power - Max | 28 W | Switching Energy | 140µJ |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 8.6 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns | Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
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