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HGT1S2N120CN

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产品型号 HGT1S2N120CN
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 N-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusObsolete IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V Current - Collector (Ic) (Max)13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)20 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2.6A
Power - Max104 W Switching Energy96µJ (on), 355µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge30 nC
Td (on/off) @ 25°C25ns/205ns Test Condition960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device PackageTO-262

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