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IKW03N120H

IKW03N120H
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产品型号 IKW03N120H
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V Current - Collector (Ic) (Max)9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)9.9 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
Power - Max62.5 W Switching Energy140µJ (on), 150µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge22 nC
Td (on/off) @ 25°C9.2ns/281ns Test Condition800V, 3A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42 ns Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackagePG-TO247-3-21

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