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HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A
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产品型号 HGT1S3N60A4DS9A
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 N-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusObsolete IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A
Power - Max70 W Switching Energy37µJ (on), 25µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge21 nC
Td (on/off) @ 25°C6ns/73ns Test Condition390V, 3A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)29 ns Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD2PAK (TO-263)

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