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GT15J341,S4X

GT15J341,S4X
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产品型号 GT15J341,S4X
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
Power - Max30 W Switching Energy300µJ (on), 300µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C60ns/170ns Test Condition300V, 15A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80 ns Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220SIS

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