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GT20J341,S4X(S

GT20J341,S4X(S
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产品型号 GT20J341,S4X(S
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Power - Max45 W Switching Energy500µJ (on), 400µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C60ns/240ns Test Condition300V, 20A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90 ns Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220SIS

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