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GT50N322A

GT50N322A
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产品型号 GT50N322A
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1000 V Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 60A
Power - Max156 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)800 ns Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P(N)

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