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RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL
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产品型号 RGT8NL65DGTL
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS
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Product parameter

Product StatusActive IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
Power - Max65 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge13.5 nC
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40 ns Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageLPDS

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