HGTD7N60C3S9A
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| 产品型号 | HGTD7N60C3S9A |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 产品介绍 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 我们努力为客户提供 Fairchild Semiconductor品牌的产品HGTD7N60C3S9A 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | IGBT Type | - |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Power - Max | 60 W | Switching Energy | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 23 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - | Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
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