HGT1S10N120BNST
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| 产品型号 | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 产品介绍 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 我们努力为客户提供 onsemi品牌的产品HGT1S10N120BNST 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | IGBT Type | NPT |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 298 W | Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 100 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns | Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
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