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RGT40NS65DGC9

RGT40NS65DGC9
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产品型号 RGT40NS65DGC9
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
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Product parameter

Product StatusActive IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
Power - Max161 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge40 nC
Td (on/off) @ 25°C22ns/75ns Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)58 ns Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device PackageTO-262

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