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RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11
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产品型号 RGT80TS65DGC11
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V Current - Collector (Ic) (Max)70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Power - Max234 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge79 nC
Td (on/off) @ 25°C34ns/119ns Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)58 ns Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247N

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