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RGW50TS65GC11

RGW50TS65GC11
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产品型号 RGW50TS65GC11
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 25A
Power - Max156 W Switching Energy390µJ (on), 430µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge73 nC
Td (on/off) @ 25°C35ns/102ns Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247N

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