GT50JR21(STA1,E,S)
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| 产品型号 | GT50JR21(STA1,E,S) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品GT50JR21(STA1,E,S) 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | IGBT Type | - |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 230 W | Switching Energy | - |
| Input Type | Standard | Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - | Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
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