HGTG10N120BND
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产品型号 | HGTG10N120BND |
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制造商 | onsemi |
产品介绍 | IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 我们努力为客户提供 onsemi品牌的产品HGTG10N120BND 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Obsolete | IGBT Type | NPT |
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
Power - Max | 298 W | Switching Energy | 850µJ (on), 800µJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 100 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns | Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
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