NGB8207BNT4G
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| 产品型号 | NGB8207BNT4G |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 产品介绍 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 我们努力为客户提供 onsemi品牌的产品NGB8207BNT4G 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | IGBT Type | - |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 365 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 4V, 20A |
| Power - Max | 165 W | Switching Energy | - |
| Input Type | Logic | Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - | Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
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