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FGD3N60LSDTM

FGD3N60LSDTM
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产品型号 FGD3N60LSDTM
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)25 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 10V, 3A
Power - Max40 W Switching Energy250µJ (on), 1mJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge12.5 nC
Td (on/off) @ 25°C40ns/600ns Test Condition480V, 3A, 470Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr)234 ns Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)

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