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FGY75N60SMD

FGY75N60SMD
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产品型号 FGY75N60SMD
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT TypeField Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)225 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 75A
Power - Max750 W Switching Energy2.3mJ (on), 770µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge248 nC
Td (on/off) @ 25°C24ns/136ns Test Condition400V, 75A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)55 ns Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3 Variant
Supplier Device PackagePowerTO-247-3

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