FGB5N60UNDF
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产品型号 | FGB5N60UNDF |
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制造商 | Fairchild Semiconductor |
产品介绍 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO 我们努力为客户提供 Fairchild Semiconductor品牌的产品FGB5N60UNDF 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | IGBT Type | NPT |
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A |
Power - Max | 73.5 W | Switching Energy | 80µJ (on), 70µJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 12.1 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 5.4ns/25.4ns | Test Condition | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
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