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FGB5N60UNDF

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产品型号 FGB5N60UNDF
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)15 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 5A
Power - Max73.5 W Switching Energy80µJ (on), 70µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge12.1 nC
Td (on/off) @ 25°C5.4ns/25.4ns Test Condition400V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35 ns Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263AB (D²PAK)

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