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HGTG20N60A4

HGTG20N60A4
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产品型号 HGTG20N60A4
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)280 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 20A
Power - Max290 W Switching Energy105µJ (on), 150µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge142 nC
Td (on/off) @ 25°C15ns/73ns Test Condition390V, 20A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

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