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SGP10N60RUFDTU

SGP10N60RUFDTU
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产品型号 SGP10N60RUFDTU
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)30 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 10A
Power - Max75 W Switching Energy141µJ (on), 215µJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge30 nC
Td (on/off) @ 25°C15ns/36ns Test Condition300V, 10A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60 ns Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3

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