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NGD15N41ACLT4G

NGD15N41ACLT4G
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产品型号 NGD15N41ACLT4G
制造商 onsemi
产品介绍 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Product parameter

Product StatusObsolete IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)440 V Current - Collector (Ic) (Max)15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)50 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 4V, 10A
Power - Max107 W Switching Energy-
Input TypeLogic Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C-/4µs Test Condition300V, 6.5A, 1kOhm
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)

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