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HGTP14N36G3VL

HGTP14N36G3VL
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产品型号 HGTP14N36G3VL
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 Insulated Gate Bipolar Transisto
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Product parameter

Product StatusObsolete IGBT TypeTrench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)390 V Current - Collector (Ic) (Max)18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 5V, 14A
Power - Max100 W Switching Energy-
Input TypeLogic Gate Charge24 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220AB

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