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EPC2001C

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产品型号 EPC2001C
制造商 EPC
产品介绍 GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V Vgs (Max)+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDie
Package / CaseDie

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