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SSM3J56MFV,L3F

SSM3J56MFV,L3F
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产品型号 SSM3J56MFV,L3F
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageVESM
Package / CaseSOT-723

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