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SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3
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产品型号 SI1022R-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C330mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)250mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSC-75A
Package / CaseSC-75, SOT-416

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