TPN11006PL,LQ
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| 产品型号 | TPN11006PL,LQ |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TPN11006PL,LQ 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 13A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1625 pF @ 30 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta), 61W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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