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ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA
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产品型号 ZXMN10B08E6TA
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 1.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds497 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-26
Package / CaseSOT-23-6

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