G2R1000MT17D
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| 产品型号 | G2R1000MT17D |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品G2R1000MT17D 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 20 V | Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 111 pF @ 1000 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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