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G3R75MT12D

G3R75MT12D
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产品型号 G3R75MT12D
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 20A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.69V @ 7.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 15 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1560 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)207W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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