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G3R45MT17K

G3R45MT17K
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产品型号 G3R45MT17K
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 40A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs182 nC @ 15 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4523 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)438W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

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