IMYH200R012M1HXKSA1
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| 产品型号 | IMYH200R012M1HXKSA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品介绍 | SIC DISCRETE 我们努力为客户提供 Infineon Technologies品牌的产品IMYH200R012M1HXKSA1 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 2000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 123A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 60A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 48mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +20V, -7V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 552W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | PG-TO247-4-U04 |
| Package / Case | TO-247-4 |
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