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G2R50MT33K

G2R50MT33K
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产品型号 G2R50MT33K
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)3300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs340 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7301 pF @ 1000 V FET FeatureStandard
Power Dissipation (Max)536W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

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