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BSH111BKR

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产品型号 BSH111BKR
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)302mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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