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SSM3J66MFV,L3XHF

SSM3J66MFV,L3XHF
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产品型号 SSM3J66MFV,L3XHF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6 nC @ 4.5 V Vgs (Max)+6V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageVESM
Package / CaseSOT-723

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