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BST82,215

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产品型号 BST82,215
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 150mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)830mW (Tc) Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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