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BSP220,115

BSP220,115
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产品型号 BSP220,115
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C225mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 200mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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