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TJ30S06M3L,LXHQ

TJ30S06M3L,LXHQ
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产品型号 TJ30S06M3L,LXHQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.8mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V Vgs (Max)+10V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3950 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)68W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK+
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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