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TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM,RQ
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产品型号 TK5R1P08QM,RQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C84A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.1mOhm @ 42A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3980 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)104W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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