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PHB32N06LT,118

PHB32N06LT,118
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产品型号 PHB32N06LT,118
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)97W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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