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TSM170N06PQ56 RLG

TSM170N06PQ56 RLG
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产品型号 TSM170N06PQ56 RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1556 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)73.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (5x6)
Package / Case8-PowerTDFN

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