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PSMN2R0-55YLHX

PSMN2R0-55YLHX
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产品型号 PSMN2R0-55YLHX
制造商 Nexperia
产品介绍 PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs184 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11353 pF @ 27 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)333W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK

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