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TSM60NB190CF C0G

TSM60NB190CF C0G
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产品型号 TSM60NB190CF C0G
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 3.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1311 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)59.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageITO-220S
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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