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C2M0280120D

C2M0280120D
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产品型号 C2M0280120D
制造商 Wolfspeed
产品介绍 SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs370mOhm @ 6A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds259 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)62.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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