TW030N120C,S1F
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| 产品型号 | TW030N120C,S1F |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TW030N120C,S1F 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 30A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 13mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2925 pF @ 800 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 249W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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