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FBG20N18BC

FBG20N18BC
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产品型号 FBG20N18BC
制造商 EPC Space
产品介绍 GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 18A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 5 V Vgs (Max)+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package4-SMD
Package / Case4-SMD, No Lead

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