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SSM6J502NU,LF

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产品型号 SSM6J502NU,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.8 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-UDFNB (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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