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DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13
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产品型号 DMT10H025SSS-13
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1544 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SO
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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